21世紀是以信息產業為重要支撐的知識經濟時代🍘。其中🧘🏼♀️，作為信息技術領域核心的集成電路以其信息含量大、發展快👞、滲透力強而成為最重要和最有影響力的產業，是國民經濟的重要基石。
隨著微電子技術的飛速發展，半導體器件的特征尺寸按摩爾定律不斷縮小🕦，傳統的SiO2柵介質的厚度已接近量子隧穿效應的限製👩🏼🌾。此時👼🏽，受隧穿效應的影響🤦♀️，柵極漏電流將隨氧化層厚度的減小呈指數增長🕵🏽♀️，成為阻礙Si集成電路快速發展的關鍵問題之一。而使用高介電常數的柵介質替代SiO2，可以在保持柵電容不變的同時增大柵介質層的物理厚度💇🏿♂️，從而達到降低柵介質層漏電流🐀、提高器件可靠性的目的。因此⏺❤️，尋找高性能的高k柵介質替代傳統的SiO2柵介質，已成為國際前沿性的熱門研究課題之一。
通過本課題的研究，可以獲取高質量的非晶稀土氧化物高k柵介質材料👷♀️，為研究替代SiO2的芯片製造工藝打下基礎🫗👊🏻，可以為優化製備工藝和器件應用提供理論的指導。從而有利於發展具有自主知識產權的新產品和新技術，提升中國微電子企業的產業水平和國際競爭力🚟👨💼。
數理學院 朱燕艷